MOS集成电路结构与制造技术

 

基本信息： 

【作　者】潘桂忠著 

【形态项】 434 

【出版项】 上海：上海科学技术出版社 , 2010.01 

【ISBN号】978-7-5323-9990-1 

【中图法分类号】TN4 

【原书定价】68.00 

【主题词】MOS集成电路 

【参考文献格式】 潘桂忠著. MOS集成电路结构与制造技术. 上海：上海科学技术出版社, 2010.01. 

内容提要: 

本书利用集成电路剖面结构技术，系统地介绍MOS集成电路结构和典型集成电路制造技术，包括PMOS、CMOS、LV/HV兼容CMOS、BiCMOS、LV/HV兼容BiCMOS以及LV/HV兼容BCDo书中描绘出组成各种集成电路的各种元器件工艺剖面结构，从而建立了元器件工艺剖面结构中高达120余种的基本单元库。根据基本单元库描绘出高达360余种电路芯片工艺剖面结构。然后根据电路芯片工艺剖面结构和制造技术，介绍了40余种典型集成电路制造技术，并描绘出工艺制程中各个工序的平面结构和工艺剖面结构。如此深入地展示电路芯片工艺剖面结构，有助于电路设计、芯片制造、良率提高、产品质量改进、电路失效分析等。